پیشرفت‌های اخیر در زمینه فناوری نانو، علاقه‌مندی به مطالعه‌ی ویژگی‌های فیزیکی نقاط کوانتمی نیم‌رسانا را افزایش داده است. محدودیت سه‌بعدی در این نانوساختارها، سبب کوانتیدگی ترازهای انرژی شده و ویژگی‌های فیزیکی جالبی را که در مواد کپه‌ای موجود نمی‌باشد، را در این ساختارها ایجاد می‌کند. به‌علت پیدایش این ویژگی‌های نوین و همچنین امکان کاربرد در صنعت، نقاط کوانتمی نیم‌رسانا به‌عنوان یک انتخاب مناسب در ساخت قطعات اپتوالکترونیکی معرفی شده‌است.
در این رساله یک نقطه کوانتمی دوبعدی دیسک شکل را در نظر گرفته و تاثیر اندازه نقطه و قدرت میدان مغناطیسی را بر ترازهای انرژی و پراکندگی رامان در این نانوساختارها مطالعه می‌کنیم. بدین منظور، ویژه مقدارهای انرژی به صورت تابعی از شعاع نقطه و اندازه میدان مغناطیسی محاسبه شده‌است. نتایج نشان می‌دهند که با افزایش شعاع نقطه ترازهای انرژی کاهش می‌یابند. همچنین ملاحظه می‌شود که با افزایش میدان مغناطیسی برخی از ترازها افزایش و برخی دیگر کاهش می‌یابند. علاوه براین، با افزایش میدان مغناطیسی حالتهای تقاطع و پادتقاطع (هنگامی که شکاف بین حالت‌ها کاهش یافته به کمترین میزان خود رسیده و دوباره افزایش یابد) زیر نوارها ممکن است رخ دهد.
وابستگی سطح مقطع دیفرانسیلی به میدان مغناطیسی خارجی و شعاع نقطه نیز بررسی شده‌است. نتایج نشان می‌دهند که میدان مغناطیسی و شعاع نقطه تاثیر به‌سزایی بر مکان تکینگی‌ها در طیف گسیلی دارند. علاوه براین، می‌توان فرکانس گذار در طیف رامان را با تغییر میدان مغناطیسی و اندازه نقطه کنترل نمود. همچنین، نتایج نشان می‌دهند که قطبش نور فرودی و پراکنده شده تاثیر چشمگیری بر اندازه قله‌ها دارد.
جهت رفع سوالات و مشکلات خود از سیستم پشتیبانی سایت استفاده نمایید .
دیدگاه ارسال شده توسط شما ، پس از تایید توسط مدیران سایت منتشر خواهد شد.
دیدگاهی که به غیر از زبان فارسی یا غیر مرتبط با مطلب باشد منتشر نخواهد شد.