قیمت محصول :     10000 تومان
  افزودن به سبد خرید

سبد خرید

  • سبد خریدتان خالی است.
  • تاریخ ارائه محصول : 09 / 08 / 2019
  • بازدید : 145 بار
  • دسته بندی :
  • امتیاز کاربران :

مطالعه فرآیند رشد نانولایه های نازک به وسیله مدل باریکه مولکولی خالص

مطالعه فرآیند رشد نانولایه های نازک به وسیله مدل باریکه مولکولی خالصMBE

امروزه بررسی سطوح مواد به عنوان محل برهمکنش جامد با بیرون، از اهمیت بسیار زیادی برخوردار است. توپوگرافی و شکل سطوح نیز می تواند بر عملکرد فیزیکی و کاربرد آنها تاثیر بگذارد، بنابراین بررسی سطوح از لحاظ تجربی و نظری اهمیت زیادی دارد با گام برداشتن به سمت نانو ساختار ها، اهمیت علم لایه های نازک در میان سایر علوم رشد قابل ملاحظه ای داشته است.  لایه های نازک، به دلیل نازک بودن و در نتیجه ظهور خواص کوانتومی و همچنین بزرگی نسبت سطح به حجم بسیار حائز اهمیت هستند. تولید مواد با خلوص بالا یکی از نکات مهم در ساخت لایه های نازک است. تکنیک MBE یکی از روش های مورد توجه، جهت تولید مواد با خلوص بالا است.

در این پایان نامه  با بهره گیری از نرم افزار برنامه نویسی Matlab  مدل های مختلف لایه نشانی شبیه سازی شده و یک مدل جدید برای لایه نشانی به روش MBE ارائه داده شده و تغییرات لگاریتمی زبری بر حسب زمان مورد بررسی قرار گرفت. مشاهده شد که فرآیند رشد در دو مرحله انجام می شود و از دو تئوری مختلف پیروی می کند. ابتدا تئوری خطی MBE  و سپس معادله ادوارد-ویلکینسون برقرار است. همچنین در این مدل، تاثیرات دما و سرعت لایه نشانی بر فرآیند رشد سطح مورد بررسی قرار گرفت و مشاهده شد که با اعمال این تغییرات، شیب نمودار در دو قسمت ثابت باقی  می ماند و فقط مدت زمانی که طول می کشد تا فرآیند رشد از یک  مدل به مدل دیگری وارد شود متفاوت است.

افزودن به سبد خرید
مطلب مفیدی برای شما بود ؟؟ پس به اشتراک بگذارید برای دوستانتان

دیدگاه کاربران ...

    لطفا قبل از ارسال سئوال یا دیدگاه سئوالات متداول را بخونید.
    جهت رفع سوالات و مشکلات خود از سیستم پشتیبانی سایت استفاده نمایید .
    دیدگاه ارسال شده توسط شما ، پس از تایید توسط مدیران سایت منتشر خواهد شد.
    دیدگاهی که به غیر از زبان فارسی یا غیر مرتبط با مطلب باشد منتشر نخواهد شد.

    دیدگاه خود را بیان کنید

0