مطالعه اثرات استریوالکترونی موثر برخواص پیکربندی ۱و۲-دی فنیل دی آزن ، -دی¬فسفن ، -دی آرسن و -دی استیبن با استفاده از روش های مکانیک کوانتومی آغازین و تحلیلNBO
بر پایه روش (B3LYP/Def2-TZVPP) و تحلیل NBO خواص پیکربندی ۱و۲-دیفنیل دیآزن(۱) ، ۱و۲-دیفنیل دیفسفن(۲) ، ۱و۲-دیفنیل دیآرسن(۳) و ۱و۲-دیفنیل دیاستیبن(۴) بررسی شد. نتایج حاصل نشان داد که اختلاف انرژی آزاد گیبس (GTrans-Cis)Δ در دمای ۲۹۸٫۱۵ درجه کلوین و فشار یک اتمسفر بین پیکربندی ترانس و سیس از ترکیب ۱ به ترکیب ۴ کاهش مییابد. روش B3LYP/Def2-TZVPP پایداری پیکربندی ترانس ترکیبات ۱ تا ۴ نسبت به پیکربندی سیس مربوطه را نشان داد.
بر اساس نتایج بدست آمده ناپایداری پیکربندی سیس از ترکیب ۱ به ۴ کاهش مییابد. تحلیل NBO برهمکنش اوربیتالهای دهنده-گیرنده (LP→ σ*) نشان داد که اثر آنومری تعمیم یافته (GAEtotal= GAETrans – GAE Cis) مرتبط با (LPM1→ σ* M2-Cphenyl) و ( σM1-Cphenyl ®σ* M2-Cphenyl ) از ترکیب ۱ به ترکیب ۴ کاهش مییابد. بنابراین تغییرات آنومری تعمیم یافته نمیتواند تغییرات محاسبه شده انرژی آزاد گیبس را توضیح دهد. تغییرات GAE میتواند توسط عناصر غیر قطری مربوطه آن کنترل شود.
مقدار ممان دوقطبی محاسبه شده پیکربندی سیس از ترکیب ۱ به ۴ کاهش مییابد. همچنین روند مشاهده شده اختلاف ممان دوقطبی (Δμcis-trans) بین پیکربندی سیس و ترانس ترکیبات ۱ تا ۴ مشابه با روند کاهشی مشاهده شده برای تغییرات ΔG مربوطه است. بنابراين مدل الكترواستاتيك مرتبط با برهمکنش دوقطبی-دوقطبی توجيه كننده مقادير DG محاسبه شده براي تركيب هاي ۱ تا ۴ است.
یک رابطه مستقیم بین محاسبه GAE و پارامتر ∆ [rM1-Cphenyl (Trans)–(Cis)] وجود دارد. رابطه بین ΔGtrans-cis ، GAEtrans-cis ، Δμcis-trans ، پارامترهای ساختاری و رفتار پیکربندی ترکیبات ۱ تا ۴ بررسی شد.
جهت رفع سوالات و مشکلات خود از سیستم پشتیبانی سایت استفاده نمایید .
دیدگاه ارسال شده توسط شما ، پس از تایید توسط مدیران سایت منتشر خواهد شد.
دیدگاهی که به غیر از زبان فارسی یا غیر مرتبط با مطلب باشد منتشر نخواهد شد.