قیمت محصول :     10000 تومان
  افزودن به سبد خرید

سبد خرید

  • سبد خریدتان خالی است.
  • تاریخ ارائه محصول : 09 / 08 / 2019
  • بازدید : 71 بار
  • دسته بندی :
  • امتیاز کاربران :

بررسی مشخصه های الکترویکی DG-SOI MOSFET

در این سمینار مشخصه های DG-SOI MOSFET در جهت بهینه سازی عملکرد این ترانزیستور مورد بررسی قرار گرفته است. برای بهینه سازی از روش تغییر ابعاد ترانزیستورها و کاهش ولتاژ تغذیه استفاده شده است. مزایا، نحوه بکارگیری در مدار و ساختارهای مختلف افزاره ما سفت دو گیتی سیلیکان بر روی عایق (DG-SOI MOSFET) مورد بررسی قرار گرفته است. ما سفت دو گیتی به عنوان افزاره مناسب، و ناحیه زیر آستانه به عنوان مناسب ترین ناحیه برای کاربردهای توان پایین معرفی شده اند. اثرات تغییر پارامترهای ساختاری بر روی مشخصات الکتریکی افزاره نانومتری DG-SOI MOSFET در ناحیه زیر آستانه، با استفاده از شبیه سازی در نرم افزار ISE-TCAD مورد بررسی قرار گرفته است. شبیه سازیهای انجام شده نشان میدهند که کاهش ضخامت بدنه منجر به کاهش ارتفاع سد پتانسیل و افزایش خازن موثر گیت (CGeft) می شود، در صورتیکه جریان حالت روشن افزاره (ION) کاهش می یابد؛ این امر ناشی از کاهش قابلیت حرکت الکترونها در اثر کاهش ضخامت بدنه می باشد. با کاهش طول نواحی سورس و درین (LDLS)، خازن های لبه ای(CFringe) کوچک *ܐܦ گردند و در نتیجه CGefT کاهش می یابد، این در حالی است که مشخصه ولتاژجریان و نیز ارتفاع سد پتانسیل تغییر چندانی نمی کنند. بررسیهای انجام شده بر روی طول ناحیه ناهمپوشانی گیت (Lun) حاکی از آن است که افزایش Lun باعث کمتر شدن CGeff و اثر کاهش سد پتانسیل القا شده توسط در این )DIBIL( 9 نیز افزایش نسبت جریان حالت روشن به حالت خاموشی افزاره )ION/IOFF( *می شود.

افزودن به سبد خرید
مطلب مفیدی برای شما بود ؟؟ پس به اشتراک بگذارید برای دوستانتان

دیدگاه کاربران ...

    لطفا قبل از ارسال سئوال یا دیدگاه سئوالات متداول را بخونید.
    جهت رفع سوالات و مشکلات خود از سیستم پشتیبانی سایت استفاده نمایید .
    دیدگاه ارسال شده توسط شما ، پس از تایید توسط مدیران سایت منتشر خواهد شد.
    دیدگاهی که به غیر از زبان فارسی یا غیر مرتبط با مطلب باشد منتشر نخواهد شد.

    دیدگاه خود را بیان کنید

0