قرن حاضر، پیشرفتهای اساسی را در زمینه نیمه هادیها تجربه کرده است . بسیاری از اکتشافات عظیم در فیزیک از مطالعه بر روی امواج در ساختارهای پریودیک سرچشمه می گیرد. شکاف باندهای الکترومغناطیسی (EBG)، دسته ای جدید از دی الکتریکهای متناوب هستند که می توان آنها را جایگزین فوتونیکی نیمه هادی ها دانست. امواج الکترومغناطیسی در EBG رفتاری مشابه الکترونها در نیمه هادی هادارند. تناوب در این مواد باعث جلوگیری از انتشار امواج در یک فرکانس معین می شود. ظهور ساختارهای EBG، کاربردهای آنتنی بسیار جدیدی را به همراه داشت . دو ویژگی اساسی شکاف باندهای الکترومغناطیسی، تضعیف مدهای زیر لایه ای ناخواسته و داشتن رفتاری مشابه صفحه زمین مغناطیسی مصنوعی است. امروزه بسیاری از آنتن ها بایستی کوچک و پهن باند باشند . دستیابی به چنین آنتن هایی نیاز به زیر لایه ای ضخیم با گذردهی الکتریکی بالا دارد . چنین زیر لایه ای دو عیب عمده دارد : ماده ای با گذردهی بالا از نظر اقتصادی مقرون به صرفه نیست و دومین ایراد به مدهای زیر لایه ای ناخواسته باز می گردد که در لبه های زیر لایه منتشر و اثر مخربی بر پترن تشعشعی آنتن د ارند. در سال ۱۹۹۰ میلادی، محققان یک ساختار شکاف باند الکترومغناطیسی را به عنوان زیر لایه معرفی کردند که قابلیت حذفمدهای زیر لایه ای ناخواسته را داشت.
جهت رفع سوالات و مشکلات خود از سیستم پشتیبانی سایت استفاده نمایید .
دیدگاه ارسال شده توسط شما ، پس از تایید توسط مدیران سایت منتشر خواهد شد.
دیدگاهی که به غیر از زبان فارسی یا غیر مرتبط با مطلب باشد منتشر نخواهد شد.