قیمت محصول :     10000 تومان
  افزودن به سبد خرید

سبد خرید

  • سبد خریدتان خالی است.
  • تاریخ ارائه محصول : 09 / 08 / 2019
  • بازدید : 73 بار
  • دسته بندی :
  • امتیاز کاربران :

احساس و کنترل الکترونیکی شتاب سنج mems

در این کار تکنیکهای طراحی سیستم برای حسی و کنترل جنبشی ساختارهای MEMS با جرم خیلی کوچک و ظرفیت خازنی خیلی پایین تحقیقی گردیده و برای ساخت شتاب سنج CMOS MEMS مجتمع نویز پایین بکار گرفته شده است. .Sal CMOS MEMS slots-l ماشین کاری سطحی ساخته شده اند که جرم کلی ہڈے اندازہ خیلی کوچکتر ۳۱ kg 10° و ظرفیت خازنی کمتر از fF 100 دارند. شتاب سنجهای CMOS MEMS بطور معمولی حساسیتی پایین در حدود g/’ 1 و تغییرات خازنی در اثر تغییر شتاب حدود ff7 0.4 را دارا می باشند بنابراین نویز و دیگر اثرات مخرب بایستی حداقل گردند. برای شتاب سنج MEMS سه نوع منبع نویز وجود دارد: نویز الکترونیکی حاصل از واسط مدار و سنسور، نویز براونی حرارتی – مکانیکی ناشی از مصرف انرژی برای دمپ و نویز چندی کننده وقتی که سیستم شامل مبدل آنالوگ به دیجیتال هم باشد. غیر خطی های دیگری هم شامل در قسمت طراحی مدار حسگر مدل نویز مداری را مطرح کرده ایم که توسط آزمایش تائید شده و دید کلی برای مصالحه در طراحی داده است. گروهی از تکنیکهای مداری برای حداقل کردن نویز مداری و کاهش اثرات غیر ایده آلی های دیگر اضافه شده اند که شامل ساختار کم نویز حسی ولتاژ پیوسته – زمانی بر اساسی پایداری چاپر، حداقل کردن نویز وابسته ورودی بر اساسی تطبیق خازنی در اتصال سنسور به مدار ، بایاسی dC قوی در گره احساسی که بصورت پریودیک شارژ ناخواسته را ریست (reSet) می کند و حذف آفست توسط تقویت کننده تمام تفاضلی. نمونه اولیه که با این تکنولوژی ساخته شده دارای کف نویز EHz/50 می باشد که نویز براونی را پوشش داده و

آفست سنسور را بیش از dB 40 کاهش می دهد.

افزودن به سبد خرید
مطلب مفیدی برای شما بود ؟؟ پس به اشتراک بگذارید برای دوستانتان

دیدگاه کاربران ...

    لطفا قبل از ارسال سئوال یا دیدگاه سئوالات متداول را بخونید.
    جهت رفع سوالات و مشکلات خود از سیستم پشتیبانی سایت استفاده نمایید .
    دیدگاه ارسال شده توسط شما ، پس از تایید توسط مدیران سایت منتشر خواهد شد.
    دیدگاهی که به غیر از زبان فارسی یا غیر مرتبط با مطلب باشد منتشر نخواهد شد.

    دیدگاه خود را بیان کنید

0